RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB против Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
39
Около -15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.2
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
16.6
Скорость записи, Гб/сек
8.2
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2165
3477
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link