RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB против Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
39
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
15.9
Скорость записи, Гб/сек
8.2
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2165
3509
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link