RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB против Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
71
Около 45% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.2
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.8
13.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
71
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
14.8
Скорость записи, Гб/сек
8.2
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2165
1799
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Inmos + 256MB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link