RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB против Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
39
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
16.5
Скорость записи, Гб/сек
8.2
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2165
3013
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link