RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
39
Около -77% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
20.4
Скорость записи, Гб/сек
8.2
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2165
3779
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link