RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB против G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
39
Около -117% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.5
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
18
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
20.5
Скорость записи, Гб/сек
8.2
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2165
3575
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Mushkin 991586 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link