RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
39
Около -117% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
18
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
20.4
Скорость записи, Гб/сек
8.2
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2165
3814
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link