RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB против Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Средняя оценка
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
71
Около 45% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.2
6.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
13.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
71
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.2
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2165
1650
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link