Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB против Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

Средняя оценка

Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB

Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

13.2 11.9

Среднее значение в тестах

Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB

Причины выбрать
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

32 39

Около -22% меньшая задержка
Выше скорость записи

8.7 8.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

39 32
Скорость чтения, Гб/сек

13.2 11.9
Скорость записи, Гб/сек

8.2 8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2165 1875

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB

Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB

Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

модули RAM

Kingston KHX16LC9/8GX 8GB

Kingston KHX16LC9/8GX 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB

модули RAM

Kingston KHYXPX-MIE 8GB

Kingston KHYXPX-MIE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Kingston 9905599-029.A00G 4GB

Kingston 9905599-029.A00G 4GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB

модули RAM

Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB

Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB

G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB

Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

модули RAM