RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
31
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
15.7
Скорость записи, Гб/сек
8.6
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
3318
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Сравнения RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link