RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
67
Около 63% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.6
8.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
12.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
67
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
15.9
Скорость записи, Гб/сек
8.6
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
1895
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Сравнения RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link