Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 26

Около 4% меньшая задержка

Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.1 12.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.6 8.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

25 26
Скорость чтения, Гб/сек

12.1 15.1
Скорость записи, Гб/сек

8.6 11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2045 2579

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB

Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A

Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB

Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB

Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB

Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB

Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB

модули RAM

Elpida EBJ10UE8BDF0-DJ-F 1GB

Elpida EBJ10UE8BDF0-DJ-F 1GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB

Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB

модули RAM