RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
30
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.3
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
15.7
Скорость записи, Гб/сек
8.6
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
2742
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Сравнения RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link