Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

22 25

Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.5 12.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.2 8.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

25 22
Скорость чтения, Гб/сек

12.1 18.5
Скорость записи, Гб/сек

8.6 14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2045 3392

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Kingston 9905744-076.A00G 16GB

Kingston 9905744-076.A00G 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston 9905624-046.A00G 8GB

Kingston 9905624-046.A00G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB

G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB

G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB

Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB

Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB

Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB

модули RAM