RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
25
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
17.5
Скорость записи, Гб/сек
8.6
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
3288
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Сравнения RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link