Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB

G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 25

Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения

21.1 12.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

19.8 8.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

25 24
Скорость чтения, Гб/сек

12.1 21.1
Скорость записи, Гб/сек

8.6 19.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2045 4394

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB

Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

модули RAM

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB

Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB

G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB

модули RAM

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB

Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB

G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Kingston KMKYF9-MIH 8GB

Kingston KMKYF9-MIH 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB

Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB

модули RAM

Kingston 99U5316-033.A00LF 2GB

Kingston 99U5316-033.A00LF 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPK 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPK 2GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB

Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB

модули RAM