Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 35

Около 29% меньшая задержка

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.5 12.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.8 8.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

25 35
Скорость чтения, Гб/сек

12.1 16.5
Скорость записи, Гб/сек

8.6 14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2045 3336

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

AMD R748G2133U2S 8GB

AMD R748G2133U2S 8GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB

Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB

Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB

Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB

модули RAM

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB

Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB

модули RAM

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB

модули RAM

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB

Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB

модули RAM

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB

модули RAM