Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Средняя оценка

Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB

Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Сообщить об ошибке

Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB

Причины выбрать
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

21 25

Около -19% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.7 12.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.1 8.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

25 21
Скорость чтения, Гб/сек

12.1 17.7
Скорость записи, Гб/сек

8.6 13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2045 2833

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB

Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB

Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Kingston 9905701-018.A00G 16GB

Kingston 9905701-018.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB

модули RAM

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB

модули RAM

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB

модули RAM

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB

Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB

модули RAM