RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.6
6.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
12.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
13.9
Скорость записи, Гб/сек
8.6
6.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
2113
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Сравнения RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link