RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
35
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.1
10.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.6
8.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
10.3
Скорость записи, Гб/сек
8.6
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
2327
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Сравнения RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link