Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против Kingston KM0VW4-MID 8GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Средняя оценка

Kingston KM0VW4-MID 8GB

Kingston KM0VW4-MID 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 38

Около 34% меньшая задержка

Kingston KM0VW4-MID 8GB

Причины выбрать
Kingston KM0VW4-MID 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

14.7 12.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.6 8.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Kingston KM0VW4-MID 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

25 38
Скорость чтения, Гб/сек

12.1 14.7
Скорость записи, Гб/сек

8.6 10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2045 2493

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Kingston KYXC0V-MID 16GB

Kingston KYXC0V-MID 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB

Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

A-DATA Technology DDR4 3600 8GB

A-DATA Technology DDR4 3600 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Kingston KMKYF9-HYA 8GB

Kingston KMKYF9-HYA 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB

Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Super Talent F24EB8GS 8GB

Super Talent F24EB8GS 8GB

модули RAM

Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB

модули RAM

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB

модули RAM

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

Kllisre DDR4-8GB 8GB

Kllisre DDR4-8GB 8GB

модули RAM

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB

A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB

модули RAM

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB

Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB

Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB

модули RAM