RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около 11% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.1
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
17.1
Скорость записи, Гб/сек
8.6
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
2833
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Сравнения RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link