Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    25 left arrow 28
    Около 11% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    8.6 left arrow 6.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость чтения
    13.7 left arrow 12.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 10600
    Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    25 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.1 left arrow 13.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.6 left arrow 6.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2045 left arrow 2312
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения