RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Средняя оценка
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.6
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
25
Около -19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
12.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
21
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
16.2
Скорость записи, Гб/сек
8.6
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
2337
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Сравнения RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link