RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Средняя оценка
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
35
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.1
9.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.6
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
9.1
Скорость записи, Гб/сек
8.6
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
2229
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Сравнения RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link