RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    23 left arrow 25
    Около -9% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    17.2 left arrow 12.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    13.0 left arrow 8.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 10600
    Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    25 left arrow 23
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.1 left arrow 17.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.6 left arrow 13.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2045 left arrow 3004

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Сравнения RAM

Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
модули RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
модули RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
модули RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
модули RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
модули RAM
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
модули RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
модули RAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
модули RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
модули RAM