RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    25 left arrow 27
    Около 7% меньшая задержка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    18.7 left arrow 12.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    17.8 left arrow 8.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 10600
    Около 2.42 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    25 left arrow 27
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.1 left arrow 18.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.6 left arrow 17.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 25600
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2045 left arrow 3963

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Сравнения RAM

Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
модули RAM
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
модули RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
модули RAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
модули RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
модули RAM
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
модули RAM
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
модули RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
модули RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
модули RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
модули RAM
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
модули RAM