RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
41
Около -58% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.6
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
14.6
Скорость записи, Гб/сек
9.7
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2366
3124
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB Сравнения RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link