RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
41
Около -71% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
15.5
Скорость записи, Гб/сек
9.7
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2366
2445
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link