RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
41
Около -105% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.3
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
20
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
19.3
Скорость записи, Гб/сек
9.7
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2366
3327
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Corsair CM3X8GA1600C10V2 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link