RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.9
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.7
6.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
41
Около -71% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
12.9
Скорость записи, Гб/сек
9.7
6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2366
1633
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link