RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
41
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
15.3
Скорость записи, Гб/сек
9.7
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2366
3090
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link