RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
41
Около -46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
18.2
Скорость записи, Гб/сек
9.7
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2366
3535
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link