RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Средняя оценка
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.9
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
41
Около -58% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.0
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
13.4
Скорость записи, Гб/сек
9.7
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2366
2673
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link