RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
41
Около -58% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
16.2
Скорость записи, Гб/сек
9.7
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2366
2728
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link