RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.9
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.7
7.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
41
Около -11% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
37
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
10.4
Скорость записи, Гб/сек
9.7
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2366
2213
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link