Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Средняя оценка

Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB

Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Сообщить об ошибке

Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB

Причины выбрать
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

36 41

Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19.3 13.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.5 9.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 12800

Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

41 36
Скорость чтения, Гб/сек

13.9 19.3
Скорость записи, Гб/сек

9.7 14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 25600

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2366 3458

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB

модули RAM

Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB

Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB

Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB

Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB

модули RAM

Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB

Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB

Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB

Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB

Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB

Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB

Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Kingston 9905734-062.A00G 32GB

Kingston 9905734-062.A00G 32GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

AMD R948G3206U2S 8GB

AMD R948G3206U2S 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB

Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB

Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB

модули RAM

Corsair CMT64GX5M2B5200C40 32GB

Corsair CMT64GX5M2B5200C40 32GB

Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB

Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB

модули RAM