RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Средняя оценка
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
41
Около -71% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
16.8
Скорость записи, Гб/сек
9.7
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2366
3167
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link