Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Средняя оценка

Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB

Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

41 48

Около 15% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13.9 10.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.7 8.1

Среднее значение в тестах

Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB

Причины выбрать
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

41 48
Скорость чтения, Гб/сек

13.9 10.9
Скорость записи, Гб/сек

9.7 8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2366 2496

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB

Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB

Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Kingston 9905630-030.A00G 16GB

Kingston 9905630-030.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

A-DATA Technology 11137401 8GB

A-DATA Technology 11137401 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Kingston 9905678-014.A00G 4GB

Kingston 9905678-014.A00G 4GB

модули RAM

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB

Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB

модули RAM