RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
41
Около -128% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.1
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
18
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
20.4
Скорость записи, Гб/сек
9.7
18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2366
3529
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link