RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
41
Около -37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.3
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
18.3
Скорость записи, Гб/сек
9.7
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2366
3491
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology C 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link