RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
41
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.9
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
18.2
Скорость записи, Гб/сек
9.7
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2366
3866
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link