RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB против Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
33
Около 12% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
11.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
33
Скорость чтения, Гб/сек
11.5
16.7
Скорость записи, Гб/сек
7.3
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1892
2876
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB Сравнения RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link