Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB против G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 33

Около 15% меньшая задержка

G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

17.1 11.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.6 8.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 33
Скорость чтения, Гб/сек

11.8 17.1
Скорость записи, Гб/сек

8.2 11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1854 2806

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB

Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB

Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Kingston KC5N22-MIE 16GB

Kingston KC5N22-MIE 16GB

модули RAM

Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB

Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB

G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB

модули RAM

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB

модули RAM

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB

Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB

модули RAM

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB

модули RAM