RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB против Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
28
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.7
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
23
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
17.0
Скорость записи, Гб/сек
8.2
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1854
3156
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link