Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB против G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB

-->

Средняя оценка

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Причины выбрать
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 15.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,001.3 11.8

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 58

Около -123% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

58 26
Скорость чтения, Гб/сек

4,796.5 15.4
Скорость записи, Гб/сек

2,001.3 11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

768 2771

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB

Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB

модули RAM

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB

Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB

Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB

Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB

Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB

модули RAM

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB

Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB

Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB

модули RAM

Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB

Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB

модули RAM