Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB против HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

-->

Средняя оценка

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Средняя оценка

HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Причины выбрать
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 15.7

Среднее значение в тестах

HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

Причины выбрать
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 58

Около -87% меньшая задержка
Выше скорость записи

9.5 2,001.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

58 31
Скорость чтения, Гб/сек

4,796.5 15.7
Скорость записи, Гб/сек

2,001.3 9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

768 2713

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Kingston 9905713-008.A00G 4GB

Kingston 9905713-008.A00G 4GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB

Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB

Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB

Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB

Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston KVR24N17S8/4 4GB

Kingston KVR24N17S8/4 4GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB

InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB

модули RAM