Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB против Kingston 9905702-020.A00G 8GB

-->

Средняя оценка

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Средняя оценка

Kingston 9905702-020.A00G 8GB

Kingston 9905702-020.A00G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Причины выбрать
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

58 80

Около 28% меньшая задержка
Выше скорость чтения

4 14.3

Среднее значение в тестах

Kingston 9905702-020.A00G 8GB

Причины выбрать
Kingston 9905702-020.A00G 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

7.4 2,001.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Kingston 9905702-020.A00G 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

58 80
Скорость чтения, Гб/сек

4,796.5 14.3
Скорость записи, Гб/сек

2,001.3 7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

768 1698

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB

модули RAM

Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB

Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB

Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB

модули RAM

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

Kingston KM0VW4-MID 8GB

Kingston KM0VW4-MID 8GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB

Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KF9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KF9 2GB

Kingston KHX1600C9D3LK2/4GX 2GB

Kingston KHX1600C9D3LK2/4GX 2GB

модули RAM

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB

Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Kingston 9905598-006.A00G 8GB

Kingston 9905598-006.A00G 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB

модули RAM

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Kingston KHX2666C16/16G 16GB

Kingston KHX2666C16/16G 16GB

модули RAM