RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Сравнить
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB против Panram International Corporation M424016 4GB
-->
Средняя оценка
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation M424016 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
12.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation M424016 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
58
Около -87% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.9
2,001.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
31
Скорость чтения, Гб/сек
4,796.5
12.6
Скорость записи, Гб/сек
2,001.3
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
768
2035
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB Сравнения RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB Сравнения RAM
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link