Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB против Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB

-->

Средняя оценка

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Средняя оценка

Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB

Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Причины выбрать
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Сообщить об ошибке

Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB

Причины выбрать
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 65

Около -110% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.3 6.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.0 4.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 8500

Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

65 31
Скорость чтения, Гб/сек

6.1 15.3
Скорость записи, Гб/сек

4.2 11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

8500 17000

Other

Описание

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1066 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

985 2959

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB

Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB

Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB

модули RAM

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB

Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB

SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Kingston 99U5713-001.A00G 4GB

Kingston 99U5713-001.A00G 4GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N

Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB

Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB

модули RAM

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB

модули RAM

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB

модули RAM